2SK3943
PACKAGE DRAWING (Unit: mm)
TO-263 (MP-25ZP)
10.0±0.3
4.45±0.2
No plating
7.88 MIN.
4
0.5
0.025 to
0.25
1.3±0.2
0.75±0.2
0.6±
0.2
2.54
0 to
8 o
0.25
1
2
3
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
EQUIVALENT CIRCUIT
Drain
Body
Gate
Gate
Protection
Diode
Source
Diode
Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.
When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding
the rated voltage may be applied to this device.
Data Sheet D17188EJ2V0DS
7
相关PDF资料
2SK3984-ZK-E1-AY MOSFET N-CH 100V 18A TO-252
2SK3992-ZK-E1-AY MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252
2SK3993-ZK-E1-AY MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252
2SK4065-E MOSFET N-CH 75V 100A SMP
2SK4069-ZK-E1-AY MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252
2SK4124 MOSFET N-CH 500V 20A TO-3PB
2SK4125 MOSFET N-CH 600V 17A TO-3PB
2V7002LT1G MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23-3
相关代理商/技术参数
2SK3944-TD-E 制造商:SANYO 功能描述:Nch 60V 2A 340m@10V PCP(SC62) Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 60V 2A SOT89
2SK3947(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
2SK3977-TL-E 制造商:SANYO 功能描述:Nch 100V 10A 92m@10V TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 100V 10A TO251 制造商:Sanyo 功能描述:0
2SK3979-TL-E 制造商:SANYO 功能描述:Nch 200V 6A 450m@10V TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 200V 6A TP-FA 制造商:Sanyo 功能描述:0
2SK3980-TD-E 制造商:SANYO 功能描述:Nch 60V 0.9A obo Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 60V 0.9A SOT89 制造商:Sanyo 功能描述:0
2SK3984-ZK-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 100V 18A TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK3991-ZK-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK3991-ZK-E2-AY 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件